Расшифровка обозначений на smd-компонентах

Расшифровка кодовых обозначений на smd-радиодеталях:

 

 

Полупроводниковые приборы в корпусе КТ-46 (SOT-23)

ПРИНЯТЫЕ СОКРАЩЕНИЯ В ТАБЛИЦЕ


C-Di- (Capacitance diode [varactor, varicap]) - емкостной диод (варикап);
MOS-N(P)-FET-d(e)- (Metal oxide FET, enhancement type) - МДП - транзистор с каналом N (P);
N-FET- (N-channel field-effect transistors) - полевой транзистор с N-каналом;
PIN-Di- (PIN -diode) - диод;
P-FET- (P- channel field-effect transistors) - полевой транзистор с Р-каналом;
S- (Sensor devices) - сенсорная схема;
Si-Di- (Silicon diode) - кремниевый диод;                                 
Si-N- (Silicon NPN transistor) - кремниевый NPN (обратный) транзистор;
Si-N-Darl- (Silicon NPN Darlington transistor) - кремниевый NPN (обратный) транзистор по схеме Дарлингтона;
Si-P- (Silicon PNP transistor) - кремниевый PNP (прямой) транзистор;
Si-P-Darl- (Silicon PNP Darlington transistor) - кремниевый PNP (прямой) транзистор по схеме Дарлингтона;
Si-St- (Silicon-stabi-diode [operation in forward direction]) - стабилизирующий диод (стабилитрон);
Т- (Tuner Diodes) - переключающий диод;
Tetrode- (P- + N-gate thyristor) - транзистор с четырехслойной структурой;
Vrf- (Voltage reference diodes) - высокостабильный опорный диод;
Vrg- (Voltage requlator diodes) - регулируемый опорный диод;
AM- (RF application) - амплитудная модуляция;
Band-S- (RF band switching) - ключевой элемент (электронный переключатель диапазона);
Chopper- (Chopper) - прерыватель;
Dual- (Dual transistors for differential amplifiers or dual diode) - сдвоенный транзистор (диод);
FED- (Field effect diode) - диод, управляющий напряжением;
FM- (RF application) - частотная модуляция;
HF- (RF application [general]) - высокочастотный диапазон;
LED- (Light-emitting diode) - светодиод;
M- (Mixer stages) - смесительный;
Min- (Miniaturized) - миниатюрный;
NF- (AF applications) - низкочастотный (звуковой) диапазон;
О- (Oscillator stages) - генераторная схема;
ln- (Low noise) - малошумящий;
S- (Switching stages) - ключевой;
SS- (Fast switching stages) - быстродействующий ключ;
sym- (SyMinetrical types) - симметричный;
Tr- (Driver stages) - мощной устройство (мощный управляющий ключ);
tuning(RF tuning diode) - переключающий диод для схем переключения диапазона;
Tunnel-Di- (Tunnel diode) - тунельный диод;
UHF- (RF applications [>250MHz]) - ультрокороткий (СВЧ) диапазон;
Uni- (General purpose tyres) - универсальный (массового применения);
V- (Pre/input stages) - предварительный (для входных цепей);
VHF- (RF applications [approx. 100..,250 MHz]) - высокочастотный (УКВ) диапазон;
Vid- (Video output stages) - видеочастотный (для цепей видеочастоты);

Тип прибора
маркировка
структ. код п/паналог (прибл.)Краткие параметры
Типов.
Рев.
ВА316 А6   Si-Di BAW62, 1N4148 Min, S, 85V, 0.1A, <6ns
BAS17 А91   Si-St ВА314 Min, Stabi, 0.75...0.83V/10mA
ВА319 А8   Si-Di BAV19 Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms
BAS20 А81   Si-Di BAV20 Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms
BAS21 А82   Si-Di BAV21 Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms
BAS29 L20   Si-Di BAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS31 L21   Si-Di 2XBAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS35 L22   Si-Di 2xBAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
ВАТ17 A3   Pin-Di BA480 VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz
ВАТ18 А2   Pin-Di BA482 VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz
BAV70 А4   Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAV99 А7   Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAW56 А1   Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns
BBY31 81   C-Di BB405, BB609 UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 - 2.8pF
BBY40 S2   C-Di BB809 UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF
ВС807-16 5A 5AR Si-P BC327-16 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС807-25 5В 5BR Si-P BC327-25 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
ВС807-40 5С 5CR Si-P BC327-40 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
ВС808-16 5Е 5ER Si-P BC328-16 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС808-25 5F 5FR Si-P BC328-25 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
BC808-40 5G 5GR Si-P BC328-40 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
BC817-16 6A 6AR Si-N BC337-16 Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250
BC846B 1В 1BR Si-N BC546B Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz
BC847A 1E 1ER Si-N BC547A, BC107A Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC847B 1F 1FR Si-N BC547B, BC107B Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC847C 1G 1GR Si-N BC547C, BC107C Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC848A U 1JR Si-N BC548A, BC108A Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC848B 1K 1KR Si-N BC548B, BC108B Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC848C 1L 1LR Si-N BC548C, BC108C Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC849B 2В 2BR Si-N BC549B, ВС108В Min, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC849C 2С 2CR Si-N BC549C, BC109C Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC850B 2F 2PR Si-N BC550B, BCY59 Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC850C 2G 2GR Si-N BC550C, BCY59 Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC856A ЗА 3AR Si-P BC556A Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC856B 3В 3BR Si-P BC556B Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
BC857A ЗЕ 3ER Si-P BC557A, BC177A Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC857B 3F 3FR Si-P BC557B, BC177B Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС857С 3G 3GR Si-P BC557C Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС858А 3J 3JR Si-P BC558A, BC178A Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250
ВС858В ЗК 3KR Si-P BC558B, BC178B Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475
ВС858С 3L 3LR Si-P BC558C Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800
ВС859А 4А 4AR Si-P BC559A, BC179A, BCY78 Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС859В 4В 4BR Si-P BC559B, BCY79 Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС859С 4С 4CR Si-P BC559C, BCY79 Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС860А 4Е 4ER Si-P BC560A, BCY79 45V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС860В 4F 4FR Si-P BC560B, BCY79 Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС860С 4G 4GR Si-P BC560C, BCY79 Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
BCF29 С7 С77 Si-P BC559A, BCY78, BC179 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF30 С8 С9 Si-P BC559B, BCY78 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF32 07 077 Si-N BC549B, BCY58, BC109 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF33 D8 D81 Si-N BC549C, BCY58 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF70 Н7 Н71 Si-P BC560B, BCY79 Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz,
BCF81 К9 К91 Si-N BC550C Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га
BCV71 К7 К71 Si-N BC546A NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220
BCV72 К8 К81 Si-N BC546B NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450
BCW29 С1 С4 Si-P BC178A, BC558A Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120
BCW30 С2 С5 Si-P BC178B, BC558B Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215
BCW31 D1 D4 Si-N ВС108А,ВС548А Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110
BCW32 02 D5 Si-N ВС108В, ВС548 Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200
BCW33 D3 06 Si-N ВС108С, ВС548С Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420
BCW60A АА   Si-N ВС548А Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220
BCW60B АВ   Si-N ВС548В Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450
BCW60C АС   Si-N ВС548В Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600
BCW60D AD   Si-N ВС548С Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800
BCW61A ВА   Si-P BC558A Min, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220
BCW61B ВВ   Si-P BC558B Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCW61C ВС   Si-P BC558B Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCW61D BD   Si-P BC558C Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCW69 Н1 Н4 Si-P ВС557А Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCW70 Н2 Н5 Si-P ВС557В Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215
BCW71 К1 К4 Si-N ВС547А Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110
BCW72 К2 К5 Si-N ВС 547В Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200
BCW81 КЗ К31 Si-N ВС547С Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420
BCW89 НЗ Н31 Si-P ВС556А Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCX17 Т1 Т4 Si-P ВС327 Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz
BCX18 Т2 Т5 Si-P ВС328 Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz
BCX19 U1 U4 Si-N BC337 Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz
BCX20 U2 U5 Si-N ВС 33 8 Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz
BCX70G AG   Si-N BC107A, BC547A Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220
BCX70H AH   Si-N ВС 107В, BC547B Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCX70J AJ   Si-N ВС107В, BC547B Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCX70K AK   Si-N ВС107С, BC547C Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCX71G BG   Si-P ВС177А, BC557A Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250
BCX71H BH   Si-P ВС 177В, BC557B Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475
BCX71J BJ   Si-P ВС 177В, BC557B Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650
BCX71K BK   Si-P ВС557С Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800
BF510 S6   N-FET BF410A Min, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V
BF511 S7   N-FET BF410B Min, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V
BF512 S8   N-FET BF410C Min, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V
BF513 S9   N-FET BF410D Min, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V
BF536 G3   SI-P BF936 Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz
BF550 G2 G5 Si-P BF450 Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz
BF569 G6   Si-P BF970 Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz
BF579 G7   Si-P BF979 Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ
BF660 G8 G81 Si-P BF606A Min, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz
BF767 G9   Si-P BF967 Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz
BF820     S-N BF420 Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF821 1W   Si-P BF421 Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF822 1Х   Si-N BF422 Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF823 1Y   Si-P BF423 Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF824 F8   Si-P BF324 Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz
BF840 F3   Si-N BF240 Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz
BF841 F31   SI-N BF241 Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz
BFR30 М1   N-FET BFW-11, BF245 Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V
BFR31 М2   N-FET BFW12, BF245 Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V
BFR53 N1 N4 Si-N BFW30, BFW93 Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz
BFR92 Р1 Р4 Si-N BFR90 Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR92A Р2 РЬ Si-N BFR90 Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR93 R1 R4 Si-N BFR91 Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFR93A R2 R5 Si-N BFR91 Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFS17, (BFS17A) Е1 (Е2) Е4 (F5) Si-N BFY90, BFW92(A) Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz
BFS18 F1 F4 Si-N BF185, BF495 Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz
BFS19 F2 F5 Si-N BF184, BF494 Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz
BFS20 G1 G4 Si-N BF199 Min, HF, 30V, 30mA,450MHz
BFT25 V1 V4 Si-N BFT24 Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ
BFT46 МЗ   NFT BFW13, BF245 Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V
BFT92 W1 W4 Si-P " BFQ51, BFQ52 Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFT93 Х1 Х4 Si-P BFQ23, BFQ24 Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz
BRY61 А5   BYT BRY56 70V
BRY62 А51   Tetrode BRY56, BRY39 Tetrode, Min, 70V, 0.175A
BSR12 B5 В8 Si-P 2N2894A Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns
BSR13 U7 U71 Si-N 2N2222, PH2222 Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns
BSR14 U8 U81 Si-N 2N2222A, PH2222A Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns
BSR15 T7 T71 Si-P 2N2907, PH2907 Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns
BSR16 T8 T81 Si-P 2N2907A, PH2907A Min, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns
BSR17 U9 U91 Si-N 2N3903 Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150
BSR17A U92 U93 Si-N 2N3904 Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300
BSR18 T9 T91 Si-P 2N3905 Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz
BSR18A T92 T93 Si-P 2N3906 Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz
BSR19 U35   Si-N 2N5550 Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR19A U36   Si-N 2N5551 Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz
BSR20 T35   Si-P 2N5400 Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz
BSR20A T36   Si-P 2N5401 Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR56 M4   N-FET 2N4856 Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V
BSR57 M5   N-FET 2N4857 Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V
BSR58 M6   N-FET 2N4858 Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V
BSS63 T3 T6 Si-P BSS68 Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz
BSS64 U3 U6 Si-N BSS38 Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz
BSV52 B2 B3 Si-N PH2369, BSX20 Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns
BZX84-... см.пр им.   Si-St BZX79 Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W
PBMF4391 M62   N-FET - Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V
PBMF4392 M63   N-FET - Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V
PBMF4393 M64   N-FET - Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V

ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZX84... приведена в таблице ниже

Тип
марк.
Тип
марк.
Тип
марк.
Тип
марк.
.....C2V4 Z11 .....C2V7 Z12 .....C3VO Z13 .....C3V3 Z14
.....C3V6 Z15 .....C3V9 Z16 .....C4V3 Z17 .....C4V7 Z1
.....C5V1 Z2 .....C5V6 Z3 .....C6V2 Z4 .....C6V8 Z5
.....C7V5 Z6 .....C8V2 Z7 .....C9V1 Z8 .....С10 Z9
.....С11 Y1 .....С12 Y2 .....С13 Y3 .....С15 Y4
.....С16 Y5 .....С18 Y6 .....С20 Y7 .....С22 Y8
.....С24 Y9 .....С27 Y10 .....С30 Y11 .....С33 Y12
.....С36 Y13 .....С39 Y14 .....С43 Y15 .....С47 Y16
.....С51 Y17 .....С56 Y18 .....С62 Y19 .....С68 Y20
.....С75 Y21 -

Полупроводниковые приборы в корпусе КТ-47 (SOT-89)

Тип прибораЦветовая маркировкаСтрукт. п/пАналог (прибл)Краткие параметры
BC868 САС Si-N BC368, BD329 Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MH2
ВС869 СЕС Si-P BC369, BD330 Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz
BCV61 D91 Si-N   Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 300MHz
BCV62 С91 Si-P - Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 150MHz
ВСХ51 АА Si-P BC636, BD136 Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz
ВСХ52 АЕ Si-P BC638, BD138 Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz
ВСХ53 АH Si-P BC640, BD140 Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz
ВСХ54 BА Si-P BC635, BD135 Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz
ВСХ55 BE Si-N BC637, BD137 Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz
ВСХ56 ВН Si-N BC639, BD139 Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz
ВСХ68 СА Si-N BC368, BD329 Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz
ВСХ69 СЕ Si-P BC369, BD300 Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz
BF620 ОС Si-N BF420, BF471, BF871 Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz
BF621 DF Si-P BF421, BF472, BF872 Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz
BF622 DA Si-N BF422, BF469, BF869 Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz
BF623 DB Si-P BF423, BF470, BF870 Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz
BFQ17 FA Si-N BFW16A Min, VHF/UHF-A, 40V, 150mA, 1.2GHz
BFQ18A FF Si-N BFQ34, BFQ64 Min, UHF-A, 25V, 150mA, 3.6GHz
BFQ19 FB Si-N BFR96, 2SC3268 Min, UHF-A, 20V, 75mA, 5GHz
BFQ67 V2 Si-N BFQ65 Min, UHF-A, 20V, 50mA, 7.5GHz, ra
BSR30 BR1 Si-P 2N4030 Min, NF/S, 70V, 1A, <500/650ns, B>40
BSR31 BR2 Si-P 2N4031 Min, NF/S, 70V, 1A,<500/650ns, B>100
BSR32 BR3 Si-P 2N4032 Min, NF/S, 90V, 1A, <500/650ns, B>40
BSR33 BR4 Si-P 2N4033 Min, NF/S, 90V, 1A,<500/650ns, B>100
BSR40 AR1 Si-N BSX46-6 Min, NF/S, 70V, 1A,<250/1000ns, B>40
BSR41 AR2 Si-N BSX46-16 Min, NF/S, 70V,1A,<250/1000ns,B>100
BSR42 AR3 Si-N 2N3020 Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns, B>40
BSR43 AR4 Si-N 2N3019 Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns,B>100
BST15 BT1 Si-P 2N5415 Min, NF/S/Vid, 200V, 1A, >15MHz
BST16 BT2 Si-P 2N5416 Min, NF/S/Vid, 350V, 1A, >15MHz
BST39 AT1 Si-N - Min, NF/S/Vid, 450V, 1A, >15MHz
BST40 AT2 Si-N - Min, NF/S/Vid, 300V, 1A, >15MHz
BST50 AS1 Si-N-Darl BSR50, BSS50, BDX42 Min, 60V, 1A, 350MHz, B>2000
BST51 AS2 Si-N-Darl BSR51, BSS51, BDX43 Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000
BST52 AS3 Si-N-Darl BSR52, BSS52, BDX44 Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000
BST60 BS1 Si-P-Darl BSR60, BSS60, BDX45 Min, 60V,1A, 350MHz, B>2000
BST61 BS2 Si-P-Darl BSR61, BSS61, BDX46 Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000
BST62 BS3 Si-P-Darl BSR62, BSS62, BDX47 Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000
BST80 KM MOS-N-FET-e BST70A V-MOS, Min, 80V, 0.5A, 1W, <10/15ns
BST84 KN MOS-N-FET-e BST24A V-MOS, Min, 200V, 0.3A, 1W, <10/15ns
BST86 KQ MOS-N-FET-e BST76A V-MOS, Min, 180V, 0.3A, 1W, <10/15ns
BST120 LM MOS-P-FET-e BST100 V-MOS,SS, 60V, 0.3A, 1W, <4/20ns
BST122 LN MOS-P-FET-e BST110, BS250 V-MOS,SS, 50V, 0.3A, 1W, <4/20ns
BZV49 см.прим. Z-Di BZV85 Min, Mn/Vrg Uz= 2.4 - 75V, P= 1W

ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZV49... приведена в таблице ниже

Тип
марк.
Тип
марк.
Тип
марк.
Тип
марк.
.....C2V4 Z11 .....C2V7 Z12 .....C3VO Z13 .....C3V3 Z14
.....C3V6 Z15 .....C3V9 Z16 .....C4V3 Z17 .....C4V7 Z1
.....C5V1 Z2 .....C5V6 Z3 .....C6V2 Z4 .....C6V8 Z5
.....C7V5 Z6 .....C8V2 Z7 .....C9V1 Z8 .....С10 Z9
.....С11 Y1 .....С12 Y2 .....С13 Y3 .....С15 Y4
.....С16 Y5 .....С18 Y6 .....С20 Y7 .....С22 Y8
.....С24 Y9 .....С27 Y10 .....С30 Y11 .....С33 Y12
.....С36 Y13 .....С39 Y14 .....С43 Y15 .....С47 Y16
.....С51 Y17 .....С56 Y18 .....С62 Y19 .....С68 Y20
.....С75 Y21
-

Полупроводниковые приборы в корпусе KT-48(SOT-143)

Тип прибораЦветовая маркировкаСтрукт. п/пАналог (прибл)Краткие параметры
BAS28 А61 Si-Di 2x1N4148 S, 70V, 0.25A, <4ns
BAV23 L30 Si-Di 2x BAV21 S, Uni, 250V, 0.25A, <50ns
BF989 М89 MOS-N-FET-d BF960 Dual-Gate, Min, UHF, 20V, Idss >2mA, Up <2.7V
BF990 М90 MOS-N-FET-d BF980 Dual-Gate, Min, UHF, 18V, Up<2.5V
BF991 М91 MOS-N-FET-d BF981 Dual-Gate, Min, FM/VHF, 18V, Idss >4mA, Up <2.5V
BF992 М92 MOS-N-FET-d BF982 Dual-Gate, Min, FM/VHF, 20V, Up <1.3V
BF994 (BF994S) M94 (M93) MOS-N-FET-d BF964 (BF964S) Dual-Gate, Min, FM/VHF, Idss >6mA, Up <3.5V
BF996 (BF996S) M96(M95) MOS-N-FET-d BF966 (BF966S) Dual-Gate, Min, UHF, 20V, Idss >2mA, Up <2.5V
BFG67 V3 Si-N BFG65 Min, VHF/UHF-A, 20V, 0.05A, 7.5GHz
BFR101A (BFR101B) M97 (M98) N-FET - Min, Uni, sym, 30V, Idss >0.2mA, Up <2.5V
BSD20 M31 MOS-N-FET-d - SS, Chopper, Min, 15V, 50mA, 1/5ns
BSD22 M32 MOS-N-FET-d - SS, Chopper, Min, 25V, 50mA, 1/5ns
BSS83 M74 MOS-N-FET-e - Min, HF, 25V, Up <2V

Полупроводниковые приборы в корпусе КД-80 (SOD-80)

Тип прибораЦветовая маркировкаСтрукт. п/пАналог (прибл)Краткие параметры
ВА682 красная полоса Pin-Di BA482 VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1 A, 200MHz
ВА683 красная + оранжевая Pin-Di BA483 VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1A, 200MHz
BAS32 черн. полоса Si-Di 1N4148 Min, SS, 75V, 0.2A, <4ns
BAV100 зелен. + черн. Si-Di BAV18 S, Uni, 25V, 0.25A, <50ns
BAV101 зелен. + коричн Si-Di BAY 19 S, Uni, 120V, 0.25A, <50ns
BAV102 зелен.+ красн. Si-Di BAV20 S, Uni, 200V, 0.25A, <50ns
BAV103 зелен. + оранж. Si-Di BAV21 S, Uni, 250V, 0.25A, <50ns
ВВ215 белая + зелен. C-Di BB405B UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cp >18pF
ВВ219 белая C-Di BB909 Min, VHF-Tuning, 8V,20mA,Cp>31pF

Полупроводниковые приборы

Обозначение

Тип

Корпус

Обозначение

Тип

Корпус

Обозначение

Тип

Корпус

AA

BCW 60 A

SOT 23

EF

BCW66F

SOT 23

L8

BAR 15-1

SOT 23

AB

BCW 60 B

SOT 23

EG

BCV 49

SOT 89

L9

BAR 16-1

SOT 23

AB

BCX 51-6

SOT 89

EG

BCW 66 G

SOT 23

R2

BFR 93 A

SOT 23

AC

BCW 60 C

SOT 23

EH

BCW 66 H

SOT 23

S1A

SMBT 3904

SOT 23

AC

BCX 51 -10

SOT 89

EK

BCX 41

SOT 23

S1B

SMBT 2222

SOT 23

AD

BCW 60 D

SOT 23

FC

BFQ 64

SOT 89

S1C

SMBTA 20

SOT 23

AD

BCX 51-16

SOT 89

FD

BFQ 17 P

SOT 89

S1D

SMBTA 42

SOT 23

AF

BCX 52-6

SOT 89

FD

BCV 26

SOT 23

S1E

SMBTA 43

SOT 23

AF

BCW 60FF

SOT 23

FE

BCV 46

SOT 23

S1G

SMBTA 06

SOT 23

AG

BCX 52-10

SOT 89

FE

BFQ 19 P

SOT 89

S1H

SMBTA 05

SOT 23

AG

BCX 70 G

SOT 23

FF

BCV 27

SOT 23

S1M

SMBIA 13

SOT 23

AH

BCX 70 H

SOT 23

FG

BCV 47

SOT 23

S1N

SMBTA 14

SOT 23

AJ

BCX 53-6

SOT 89

FM

BFN 24

SOT 23

S1P

SMBT2222A

SOT 23

AJ

BCX 70 J

SOT 23

FJ

BFN 26

SOT 23

S2A

SMBT 3906

SOT 23

AK

BCX 53-10

SOT 89

FK

BFN 25

SOT 23

S2B

SMBT 2907

SOT 23

AK

BCX 70 K

SOT 23

FL

BFN 27

SOT 23

S2D

SMBTA 92

SOT 23

AL

BCX 53-16

SOT 89

GA

BAW 78 A

SOT 89

S2E

SMBTA 93

SOT 23

AM

BCX 52-16

SOT 89

GB

BAW 78 B

SOT 89

S2F

SMBT2907A

SOT 23

AM

BSS 64

SOT 23

GC

BAW 78 C

SOT 89

S2G

SMBTA 56

SOT 23

AN

BCW 60 PN

SOT 23

GD

BAW 78 D

SOT 89

S2H

SMBTA 55

SOT 23

BA

BCW 61 A

SOT 23

GE

BAW 79 A

SOT 89

S2
Просмотров: 237346
Загрузка...

Еще проекты